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Diodes公司完整型號: DMN10H099SFG-13

制造廠家名稱: Diodes Incorporated

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 4.2A

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 4.2A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 80 毫歐 @ 3.3A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 25.2nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 1172pF @ 50V

功率 - 最大值: 980mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝: PowerDI3333-8