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DMN10H170SFG-13
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Diodes公司完整型號(hào):DMN10H170SFG-13

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.9A(Ta),8.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):122 毫歐 @ 3.3A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):14.9nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):870.7pF @ 25V

功率 - 最大值:940mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVQFN

供應(yīng)商器件封裝:PowerDI3333-8


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