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Diodes公司完整型號：DMN2013UFDE-7

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：10.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 8.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25.8nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2453pF @ 10V

功率 - 最大值：660mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN

供應商器件封裝：*