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Diodes公司完整型號: DMN61D8LVT-13

制造廠家名稱: Diodes Incorporated

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

系列: -

FET 類型: 2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 630mA

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 1.8 歐姆 @ 150mA，5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 0.74nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 12.9pF @ 12V

功率 - 最大值: 820mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝: TSOT-26