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IXYS公司完整型號(hào)：IXTU01N100D

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：100mA（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：80 歐姆 @ 50mA，0V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：120pF @ 25V

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-251