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Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60B2G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A

Current - Collector Pulsed (Icm)：250A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A

功率 - 最大值：833W

Switching Energy：605μJ （開）， 896μJ （關）

輸入類型：標準

Gate Charge：210nC

25°C 時 Td（開/關）值：30ns/91ns

Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3 變式

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：*