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Nexperia公司器件型號：PHKD3NQ10T,518

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

所屬類別：FET，MOSFET - 陣列-晶體管

系列：TrenchMOS??

零件狀態：在售

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：3A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 1.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：633pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

Nexperia公司標準封裝：8-SO

PHKD3NQ10T的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS