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Nexperia公司器件型號：PSMN102-200Y,115

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：TrenchMOS??

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：200V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：21.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：30.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1568pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：113W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：102 毫歐 @ 12A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標準封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝形式：SC-100，SOT-669

PSMN102-200Y的標準包裝數量(SPQ)：1500 PCS