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ON安森美半導體完整型號：2SJ652-1E

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 28A

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：28A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：38 毫歐 @ 14A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：80nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4360pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：TO-220F-3SG