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MTD6P10E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):MTD6P10E

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):660 毫歐 @ 3A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):840pF @ 25V

功率 - 最大值:1.75W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3


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