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NDDL01N60Z-1G
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ON安森美半導體完整型號: NDDL01N60Z-1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 800mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 15 歐姆 @ 400mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 4.9nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 92pF @ 25V

功率 - 最大值: 26W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝: IPAK(TO-251)


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