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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTBV5605T4G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：140 毫歐 @ 8.5A，5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1190pF @ 25V

功率 - 最大值：88W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK