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NTLJD3181PZTBG
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTLJD3181PZTBG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

系列:-

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.2A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.8nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):450pF @ 10V

功率 - 最大值:710mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:6-WDFN(2x2)


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