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ON安森美半導體完整型號：NTMSD3P303R2G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

系列：FETKY?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：二極管（隔離式）

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.34A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：85 毫歐 @ 3.05A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：750pF @ 24V

功率 - 最大值：730mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N