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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STP18N65M2

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 12A TO220

系列: MDmesh M2

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 12A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 330 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 20nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 770pF @ 100V

功率 - 最大值: 110W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝: TO-220