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SI3475DV-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI3475DV-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):950mA(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.61 歐姆 @ 900mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):500pF @ 50V

功率 - 最大值:3.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

供應商器件封裝:6-TSOP


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