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Vishay威世半導體原廠型號：SI5511DC-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A，3.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.1nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：435pF @ 15V

功率 - 最大值：3.1W，2.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應商器件封裝：1206-8 ChipFET