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SI7485DP-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI7485DP-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 20A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):150nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8


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